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IXFH60N20F

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  • 大小:104.29KB
  • 廠家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:HiPerRFTM Power MOSFETs
  • 制造商:IXYS
  • 晶體管極性:N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓:200 V
  • 閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
  • 漏極連續電流:60 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.038 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 安裝風格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-247AD
  • 封裝:Tube
  • 下降時間:7 ns
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 功率耗散:315 W
  • 上升時間:14 ns
  • 工廠包裝數量:30
  • 典型關閉延遲時間:42 ns
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